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SP8K2HZGTB

SP8K2HZGTB

SP8K2HZGTB

30V NCH+NCH POWER MOSFET. SP8K2H

SP8K2HZGTB Technisches Datenblatt

compliant

SP8K2HZGTB Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.14000 $2.14
500 $2.1186 $1059.3
1000 $2.0972 $2097.2
1500 $2.0758 $3113.7
2000 $2.0544 $4108.8
2500 $2.033 $5082.5
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6A (Ta)
rds ein (max) @ id, vgs 30mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 10.1nC @ 5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 520pF @ 10V
Leistung - max. 1.4W (Ta)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOP
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Zugehörige Teilenummer

DMN16M9UCA6-7
DMN13M9UCA6-7
FDML7610AS
DMT47M2LDVQ-7
SQ1539EH-T1_GE3
SIZF914DT-T1-GE3
DMT4015LDV-13
NTMFD030N06CT1G
NTMFD030N06CT1G
$0 $/Stück
APTC60HM24T3G

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