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SP8K31HZGTB

SP8K31HZGTB

SP8K31HZGTB

60V DUAL NCH+NCH POWER MOSFET. S

SP8K31HZGTB Technisches Datenblatt

compliant

SP8K31HZGTB Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.56000 $1.56
500 $1.5444 $772.2
1000 $1.5288 $1528.8
1500 $1.5132 $2269.8
2000 $1.4976 $2995.2
2500 $1.482 $3705
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3.5A (Ta)
rds ein (max) @ id, vgs 120mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 5.2nC @ 5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 250pF @ 10V
Leistung - max. 2W (Ta)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOP
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