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SP8K4FU6TB

SP8K4FU6TB

SP8K4FU6TB

MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOIC

SP8K4FU6TB Technisches Datenblatt

compliant

SP8K4FU6TB Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 9A
rds ein (max) @ id, vgs 17mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 21nC @ 5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1190pF @ 10V
Leistung - max. 2W
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOP
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Zugehörige Teilenummer

SI5975DC-T1-E3
SI5915BDC-T1-GE3
AUIRF9952QTR
SH8K2TB1
SH8K2TB1
$0 $/Stück
SI1539DL-T1-E3
SI6966DQ-T1-GE3
SI4563DY-T1-GE3
AUIRF7313Q

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