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SP8M51TB1

SP8M51TB1

SP8M51TB1

MOSFET N/P-CH 100V 3A/2.5A SOP8

SP8M51TB1 Technisches Datenblatt

nicht konform

SP8M51TB1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N and P-Channel
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3A, 2.5A
rds ein (max) @ id, vgs -
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
Leistung - max. 2W
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOP
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Zugehörige Teilenummer

SI4933DY-T1-E3
SI1028X-T1-GE3
SI7501DN-T1-GE3
IRF7343QTRPBF
SI3993DV-T1-GE3
SP8M9TB
SP8M9TB
$0 $/Stück
NTJD4401NT1
NTJD4401NT1
$0 $/Stück
NDS9933
NDS9933
$0 $/Stück
SI5933DC-T1-GE3

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