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SP8M8FU6TB

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MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.5A 8SOIC

SP8M8FU6TB Technisches Datenblatt

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SP8M8FU6TB Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N and P-Channel
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6A, 4.5A
rds ein (max) @ id, vgs 30mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 10.1nC @ 5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 520pF @ 10V
Leistung - max. 2W
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOP
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Zugehörige Teilenummer

MP6K31TCR
MP6K31TCR
$0 $/Stück
SQ4946AEY-T1_BE3
IRF9952
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$0 $/Stück
SI9955DY
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$0 $/Stück
NTZD3156CT5G
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$0 $/Stück
SI7958DP-T1-E3
IRF7389
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$0 $/Stück
IRF7757TR
ZXMN2A04DN8TC
MP6K12TCR
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