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TT8M1TR

TT8M1TR

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MOSFET N/P-CH 20V 2.5A TSST8

TT8M1TR Technisches Datenblatt

nicht konform

TT8M1TR Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.13530 -
6,000 $0.12710 -
15,000 $0.11890 -
30,000 $0.11480 -
1448 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Not For New Designs
FET-Typ N and P-Channel
FET-Funktion Logic Level Gate, 1.5V Drive
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2.5A
rds ein (max) @ id, vgs 72mOhm @ 2.5A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 3.6nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 260pF @ 10V
Leistung - max. 1W
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SMD, Flat Lead
Lieferantengerätepaket 8-TSST
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