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US6M2TR

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MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6

US6M2TR Technisches Datenblatt

nicht konform

US6M2TR Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.22940 -
6,000 $0.21460 -
15,000 $0.20720 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N and P-Channel
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V, 20V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 1.5A, 1A
rds ein (max) @ id, vgs 240mOhm @ 1.5A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 2.2nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 80pF @ 10V
Leistung - max. 1W
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 6-SMD, Flat Leads
Lieferantengerätepaket TUMT6
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Zugehörige Teilenummer

SH8M24TB1
SH8M24TB1
$0 $/Stück
FDB12N50UTM
DMN33D8LDWQ-7
ZXMC4559DN8TA
FDMS3606S
FDMS3606S
$0 $/Stück
SIA910EDJ-T1-GE3
2N7002VAC-7
PMGD290XN,115
FDS6975
FDS6975
$0 $/Stück

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