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VT6J1T2CR

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MOSFET 2P-CH 20V 0.1A VMT6

VT6J1T2CR Technisches Datenblatt

nicht konform

VT6J1T2CR Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
8,000 $0.06840 -
16,000 $0.06080 -
24,000 $0.05700 -
56,000 $0.05320 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate, 1.2V Drive
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 100mA
rds ein (max) @ id, vgs 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 100µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 15pF @ 10V
Leistung - max. 120mW
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 6-SMD, Flat Leads
Lieferantengerätepaket VMT6
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Zugehörige Teilenummer

DMN4031SSDQ-13
SIA777EDJ-T1-GE3
STL60N32N3LL
SH8M70TB1
SH8M70TB1
$0 $/Stück
NVMFD5489NLWFT1G
NVMFD5489NLWFT1G
$0 $/Stück
IRF7752
IRF7752
$0 $/Stück
SI4670DY-T1-E3
FDMS3624S

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