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2SK3800

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MOSFET N-CH 40V 70A TO220S

2SK3800 Technisches Datenblatt

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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 70A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 6mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5100 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 80W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-220S
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

RD3L08BGNTL
IRF9Z34STRRPBF
HUF76445S3S
FDC608PZ
FDC608PZ
$0 $/Stück
AUIRFSL8408
SI3443CDV-T1-E3

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