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FKI06190

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MOSFET N-CH 60V 30A TO220F

FKI06190 Technisches Datenblatt

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Name Wert
Produktstatus Not For New Designs
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 30A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 15.3mOhm @ 19.8A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 350µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 23.7 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1510 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 32W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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