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FKP202

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MOSFET N-CH 200V 45A TO220

FKP202 Technisches Datenblatt

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FKP202 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
4,000 $1.86200 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 45A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 53mOhm @ 22A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2000 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 40W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

PSMNR90-40SSHJ
IRF9520PBF-BE3
IXFA60N25X3
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RM80N100T2
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$0 $/Stück
FDU6676AS
FDN304P
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FDMS2672
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$0 $/Stück
STL4N10F7
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$0 $/Stück

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