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FKP253

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MOSFET N-CH 250V 20A TO220

FKP253 Technisches Datenblatt

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FKP253 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
4,000 $1.58200 -
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Name Wert
Produktstatus Not For New Designs
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 250 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 20A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 95mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1600 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 40W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

SI2309CDS-T1-E3
R6547KNZ4C13
IRFR014TRPBF-BE3
FDMS8320L
FDMS8320L
$0 $/Stück
NVD5C668NLT4G
NVD5C668NLT4G
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NVMFS5C460NLWFAFT1G
NVMFS5C460NLWFAFT1G
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