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FKV550T

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MOSFET N-CH 50V 50A TO220F

FKV550T Technisches Datenblatt

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FKV550T Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 50 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 50A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 13mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2700 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 35W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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