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GP1S25

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SENSOR OPT SLOT PHOTOTRANS 4SMD

GP1S25 Technisches Datenblatt

nicht konform

GP1S25 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
Erfassungsabstand 0.063" (1.6mm)
Sensormethode Through-Beam
Ausgabekonfiguration Phototransistor
Strom - DC vorwärts (if) (max) 50 mA
Strom - Kollektor (ic) (max) 20 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 35 V
Ansprechzeit 35µs, 35µs
Betriebstemperatur -25°C ~ 85°C
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 4-SMD
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