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2N3501

2N3501

2N3501

Solid State Inc.

BI-POLAR SILICON TRANSISTOR NPN

2N3501 Technisches Datenblatt

nicht konform

2N3501 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $8.23000 $8.23
10 $7.40600 $74.06
25 $6.74800 $168.7
100 $6.08970 $608.97
250 $5.59596 $1398.99
500 $5.10222 $2551.11
1,000 $4.44386 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
Transistortyp NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 150V
Frequenz - Übergang 150MHz
Rauschmaß (db typ @ f) -
gewinnen -
Leistung - max. 1W
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce 100 @ 150mA, 10V
Strom - Kollektor (ic) (max) 300mA
Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ)
Montageart Through Hole
Paket / Koffer TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Lieferantengerätepaket TO-39
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Zugehörige Teilenummer

NTE2634
NTE2634
$0 $/Stück
BFU590GX
BFU590GX
$0 $/Stück
NSVF4015SG4T1G
NSVF4015SG4T1G
$0 $/Stück
MMBTH10-TP
BFU550215
BFU550215
$0 $/Stück
2SC5490A-TL-H
2SC5490A-TL-H
$0 $/Stück
NTE55
NTE55
$0 $/Stück

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