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STB170NF04

STB170NF04

STB170NF04

MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK

STB170NF04 Technisches Datenblatt

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STB170NF04 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $1.97220 -
2,000 $1.88442 -
5,000 $1.82172 -
839 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 80A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 5mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 170 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 9000 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 300W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

C2M0045170P
C2M0045170P
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FDD3N40TM
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ZVP3306A
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STF4N80K5
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NVMFS5C442NLWFAFT1G
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IXFH70N30Q3
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STW40N60M2
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NVMFS5C468NT1G
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US5U1TR
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