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STB18N60DM2

STB18N60DM2

STB18N60DM2

MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK

STB18N60DM2 Technisches Datenblatt

compliant

STB18N60DM2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $1.48691 -
2,000 $1.39528 -
5,000 $1.34946 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 12A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 295mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 20 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 800 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 90W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

SQ2318AES-T1_GE3
IRFH8311TRPBF
FQT4N25TF
FQT4N25TF
$0 $/Stück
FQA7N80C
C3M0032120J1
C3M0032120J1
$0 $/Stück
NX7002BK215
NX7002BK215
$0 $/Stück
NVF2955T1G
NVF2955T1G
$0 $/Stück
CPH3355-TL-H
CPH3355-TL-H
$0 $/Stück

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