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STB30NF20L

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MOSFET N CH 200V 30A D2PAK

STB30NF20L Technisches Datenblatt

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STB30NF20L Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $1.78640 -
2,000 $1.69708 -
5,000 $1.63328 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 30A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 75mOhm @ 15A, 5V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 65 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1990 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 150W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D2PAK
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

NTMFS5H600NLT3G
NTMFS5H600NLT3G
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NVB190N65S3F
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C3M0060065K
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IXFA20N85XHV-TRL
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RM2N650LD
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IRFB9N65APBF
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STP31N65M5
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STD6N60DM2
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