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STB4NK60ZT4

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MOSFET N-CH 600V 4A D2PAK

STB4NK60ZT4 Technisches Datenblatt

compliant

STB4NK60ZT4 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,000 $0.65389 -
1540 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 50µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 26 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 510 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 70W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D2PAK
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

FDD86580-F085
FDD86580-F085
$0 $/Stück
DMG3407SSN-7
SCT3160KLHRC11
IXTA60N10T-TRL
IXTA60N10T-TRL
$0 $/Stück
FDMS8320LDC
FDMS8320LDC
$0 $/Stück

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