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STB60NF06T4

STB60NF06T4

STB60NF06T4

MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK

STB60NF06T4 Technisches Datenblatt

compliant

STB60NF06T4 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $0.99425 -
2,000 $0.93298 -
5,000 $0.90234 -
10,000 $0.88563 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 60A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 16mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 66 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1810 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 110W (Tc)
Betriebstemperatur -65°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D2PAK
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

IRFSL9N60APBF
SIA483ADJ-T1-GE3
PMV50UPE,215
STP7N90K5
STP7N90K5
$0 $/Stück
IXKH47N60C
IXKH47N60C
$0 $/Stück
NTD110N02R-001G
NTD110N02R-001G
$0 $/Stück
NVTFS5C454NLWFTAG
NVTFS5C454NLWFTAG
$0 $/Stück

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