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STB7ANM60N

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MOSFET N-CH 600V 5A D2PAK

STB7ANM60N Technisches Datenblatt

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STB7ANM60N Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $1.57080 -
2,000 $1.47400 -
5,000 $1.42560 -
1167 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 900mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 14 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 363 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 45W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D2PAK
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

STF7N90K5
STF7N90K5
$0 $/Stück
IXFX150N30P3
IXFX150N30P3
$0 $/Stück
SI2308CDS-T1-GE3
SI6415DQ-T1-BE3
APT12057LFLLG
IXFA4N85X
IXFA4N85X
$0 $/Stück
NVMFS6H858NWFT1G
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PMCXB1000UE147
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IRLL014TRPBF-BE3

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