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STB80NF55-08AG

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MOSFET N-CHANNEL 55V 80A D2PAK

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STB80NF55-08AG Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $1.21380 -
2,000 $1.13900 -
5,000 $1.10160 -
10,000 $1.08120 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 55 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 80A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 8mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 112 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3740 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 300W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D²PAK
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

PSMN009-100P,127
STW56N60M2-4
IRFR120
NVTFS6H860NLTAG
NVTFS6H860NLTAG
$0 $/Stück
BUK9616-75B,118
FDB86102LZ
FDB86102LZ
$0 $/Stück
IRFSL7434PBF

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