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STD11N60DM2

STD11N60DM2

STD11N60DM2

MOSFET N-CH 650V 10A DPAK

STD11N60DM2 Technisches Datenblatt

compliant

STD11N60DM2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.85462 -
5,000 $0.81658 -
12,500 $0.78941 -
2491 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 10A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 420mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 16.5 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 614 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 110W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket DPAK
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

STF15N60M2-EP
SI4128DY-T1-E3
APT1003RBLLG
R6009END3TL1
BUK9640-100A,118
FQP3P50
FQP3P50
$0 $/Stück
BUK769R6-80E,118
STF26NM60ND

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