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STD120N4F6

STD120N4F6

STD120N4F6

MOSFET N-CH 40V 80A DPAK

STD120N4F6 Technisches Datenblatt

compliant

STD120N4F6 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $1.59125 -
5,000 $1.53900 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Last Time Buy
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 80A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 4mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 65 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3850 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 110W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket DPAK
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

FQP2N80
RF4L040ATTCR
IRLZ24PBF-BE3
SIHFR430ATR-GE3
SI4421DY-T1-E3
IXTA62N15P-TRL
IXTA62N15P-TRL
$0 $/Stück
DMJ70H1D3SJ3
STP33N60DM6

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