Welcome to ichome.com!

logo
Heim

STD15N65M5

STD15N65M5

STD15N65M5

MOSFET N CH 650V 11A DPAK

STD15N65M5 Technisches Datenblatt

compliant

STD15N65M5 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $2.46297 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 11A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 340mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 22 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 816 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 85W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket DPAK
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

NTD4857NA-1G
NTD4857NA-1G
$0 $/Stück
FQP19N20
FQP19N20
$0 $/Stück
IXFA36N30P3
IXFA36N30P3
$0 $/Stück
STP8NK80ZFP
IRFR420TRPBF
IRFR420TRPBF
$0 $/Stück
RQ3L050GNTB
IXFR32N80Q3
IXFR32N80Q3
$0 $/Stück
SQJQ130EL-T1_GE3

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.