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STD2NK100Z

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MOSFET N-CH 1000V 1.85A DPAK

STD2NK100Z Technisches Datenblatt

compliant

STD2NK100Z Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $1.14738 -
5,000 $1.10970 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1000 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 1.85A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 8.5Ohm @ 900mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 50µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 16 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 499 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 70W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket DPAK
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

MTD1312T4
MTD1312T4
$0 $/Stück
STW9N80K5
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$0 $/Stück
NTD4906NT4H
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IXTY1N80P
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IXFY26N30X3
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$0 $/Stück
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SUG80050E-GE3

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