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STD7NM80

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MOSFET N-CH 800V 6.5A DPAK

STD7NM80 Technisches Datenblatt

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STD7NM80 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $1.94393 -
5,000 $1.87925 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.05Ohm @ 3.25A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 18 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 620 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 90W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket DPAK
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

NVMFS5C420NT1G
NVMFS5C420NT1G
$0 $/Stück
BUK7M21-40EX
IXTH04N300P3HV
IXTH04N300P3HV
$0 $/Stück
SIA449DJ-T1-GE3
APT47N60BC3G
FQB50N06LTM
FQB50N06LTM
$0 $/Stück
APT50M75JFLL

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