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STD96N3LLH6

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MOSFET N-CH 30V 80A DPAK

STD96N3LLH6 Technisches Datenblatt

nicht konform

STD96N3LLH6 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.35879 -
5,000 $0.33668 -
12,500 $0.32562 -
25,000 $0.31959 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 80A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 5.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 4.2mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 20 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2200 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 70W (Tc)
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket DPAK
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

DMP2100UQ-7
R6018VNXC7G
IRF840LCPBF
IRF840LCPBF
$0 $/Stück
PXN9R0-30QLJ
CSD25310Q2
CSD25310Q2
$0 $/Stück
STL120N2VH5
DMN2040U-13

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