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STD9NM40N

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MOSFET N-CH 400V 5.6A DPAK

STD9NM40N Technisches Datenblatt

compliant

STD9NM40N Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.71148 -
5,000 $0.67591 -
12,500 $0.65050 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Not For New Designs
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 400 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5.6A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 790mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 14 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 365 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 60W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket DPAK
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

RM3010
RM3010
$0 $/Stück
IRFI9540GPBF
IRFI9540GPBF
$0 $/Stück
NTMSD6N303R2
NTMSD6N303R2
$0 $/Stück
SI8401DB-T1-E1
FKP250A
FKP250A
$0 $/Stück
SI8499DB-T2-E1
SI7139DP-T1-GE3

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