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STF10N62K3

STF10N62K3

STF10N62K3

MOSFET N-CH 620V 8.4A TO220FP

STF10N62K3 Technisches Datenblatt

compliant

STF10N62K3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $1.03994 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 620 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 8.4A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 750mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 100µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 42 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1250 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 30W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220FP
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

BUK95180-100A,127
FQB34N20TM-AM002
FQB34N20TM-AM002
$0 $/Stück
IRFI740GLCPBF
NVHL072N65S3
NVHL072N65S3
$0 $/Stück
DMN61D8L-7
NTR2101PT1G
NTR2101PT1G
$0 $/Stück
VP3203N8-G

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