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STF10N65K3

STF10N65K3

STF10N65K3

MOSFET N-CH 650V 10A TO220FP

STF10N65K3 Technisches Datenblatt

compliant

STF10N65K3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.35000 $2.35
50 $1.89200 $94.6
100 $1.70280 $170.28
500 $1.32440 $662.2
1,000 $1.09736 -
2,500 $1.02168 -
5,000 $0.98384 -
30 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 10A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1Ohm @ 3.6A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 100µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 42 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1180 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 35W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220FP
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

DMN2028USS-13
SQJA81EP-T1_GE3
NVD5C486NLT4G
NVD5C486NLT4G
$0 $/Stück
PMZB290UNE,315
PMZB290UNE,315
$0 $/Stück
C3M0060065J
C3M0060065J
$0 $/Stück
RQ7L050ATTCR

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