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STF12N65M5

STF12N65M5

STF12N65M5

MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220FP

STF12N65M5 Technisches Datenblatt

compliant

STF12N65M5 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.40000 $3.4
50 $2.74460 $137.23
100 $2.47010 $247.01
153 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 8.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 430mOhm @ 4.3A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 22 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 900 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 25W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220FP
Paket / Koffer TO-220-5 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

DMP1045UFY4-7
FQB22P10TM
FQB22P10TM
$0 $/Stück
VP2206N3-G
STD18NF03L
STD18NF03L
$0 $/Stück
NTR4003NT3G
NTR4003NT3G
$0 $/Stück
IXFH150N30X3
IXFH150N30X3
$0 $/Stück

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