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STF30N10F7

STF30N10F7

STF30N10F7

MOSFET N-CH 100V 24A TO220FP

STF30N10F7 Technisches Datenblatt

nicht konform

STF30N10F7 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.70000 $3.7
50 $2.97000 $148.5
100 $2.70600 $270.6
500 $2.19120 $1095.6
1,000 $1.84800 -
2,500 $1.75560 -
5,000 $1.68960 -
0 items
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Name Wert
Produktstatus Last Time Buy
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 24A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 24mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 19 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1270 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 25W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220FP
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

NVBG160N120SC1
NVBG160N120SC1
$0 $/Stück
SQJA82EP-T1_BE3
R6076KNZ4C13
DMN4040SK3-13
IRF840LCSPBF
IRF840LCSPBF
$0 $/Stück
RD3U060CNTL1
MCQ4459-TP
FDP13AN06A0
APT24M120B2

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