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STF34N65M5

STF34N65M5

STF34N65M5

MOSFET N-CH 650V 28A TO220FP

STF34N65M5 Technisches Datenblatt

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STF34N65M5 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $3.00328 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 28A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 110mOhm @ 14.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 70 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2590 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 35W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220FP
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

IXTT64N25P
IXTT64N25P
$0 $/Stück
APT34N80LC3G
PMN40SNAX
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$0 $/Stück
RCD100N19TL
DMNH45M7SCT
NTB5405NT4G
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