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STF57N65M5

STF57N65M5

STF57N65M5

MOSFET N-CH 650V 42A TO220FP

STF57N65M5 Technisches Datenblatt

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STF57N65M5 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $7.81242 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 42A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 63mOhm @ 21A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 98 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4200 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 40W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220FP
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

DMN3024LK3-13
STW9NK90Z
STW9NK90Z
$0 $/Stück
3LP01S-K-TL-E
3LP01S-K-TL-E
$0 $/Stück
PMN40LN,135
PMN40LN,135
$0 $/Stück
NTTFS4C05NTWG
NTTFS4C05NTWG
$0 $/Stück
MCPF07N65-BP

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