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STFU24N60M2

STFU24N60M2

STFU24N60M2

MOSFET N-CH 600V 18A TO220FP

STFU24N60M2 Technisches Datenblatt

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STFU24N60M2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $1.49940 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 18A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 190mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 29 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1060 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 30W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220FP
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

FQD2N50TF
DMP2067LVT-13
FQP6N50C
APL502LG
APL502LG
$0 $/Stück
STFW3N150
STFW3N150
$0 $/Stück
SI7108DN-T1-GE3
STP14N80K5
STP14N80K5
$0 $/Stück
NTBGS2D5N06C
NTBGS2D5N06C
$0 $/Stück

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