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STFU8N60DM2

STFU8N60DM2

STFU8N60DM2

MOSFET N-CH 600V 12A TO220FP

STFU8N60DM2 Technisches Datenblatt

nicht konform

STFU8N60DM2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.04405 $1.04405
500 $1.0336095 $516.80475
1000 $1.023169 $1023.169
1500 $1.0127285 $1519.09275
2000 $1.002288 $2004.576
2500 $0.9918475 $2479.61875
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 12A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 295mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 20 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 800 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 25W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220FP
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

FQT1N80TF-WS
FQT1N80TF-WS
$0 $/Stück
SI7460DP-T1-GE3
DMN3069L-13
DMP6110SSS-13
SQD50N04-5M6_T4GE3
RD3P175SNTL1
RRH090P03GZETB
DMP3130LQ-7

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