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STH3N150-2

STH3N150-2

STH3N150-2

MOSFET N-CH 1500V 2.5A H2PAK

STH3N150-2 Technisches Datenblatt

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STH3N150-2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $2.78357 -
2,000 $2.65968 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 9Ohm @ 1.3A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 29.3 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 939 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 140W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket H²PAK
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant
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Zugehörige Teilenummer

STW10N105K5
RCD041N25TL
DN3545N8-G
NVMFS5H600NLT1G
NVMFS5H600NLT1G
$0 $/Stück
SI2369BDS-T1-GE3
BUK762R6-60E,118
IRLU8743PBF
IRFR1N60ATRLPBF
NTLGF3402PT1G
NTLGF3402PT1G
$0 $/Stück

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