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STL100N10F7

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MOSFET N-CH 100V 80A POWERFLAT

STL100N10F7 Technisches Datenblatt

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STL100N10F7 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $1.30985 -
4506 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 80A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 7.3mOhm @ 19A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 80 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5680 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 5W (Ta), 100W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerFlat™ (5x6)
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

BUK7Y2R0-40HX
IRLIZ34GPBF
IRLIZ34GPBF
$0 $/Stück
SQA401EEJ-T1_GE3
FCP7N60
FCP7N60
$0 $/Stück
SSS4N60BT
STB26NM60N
STB26NM60N
$0 $/Stück
RQ3G100GNTB

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