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STL12N10F7

STL12N10F7

STL12N10F7

MOSFET N-CH 100V 44A POWERFLAT

STL12N10F7 Technisches Datenblatt

compliant

STL12N10F7 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 44A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 13.3mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 30 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1820 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 52W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerFlat™ (3.3x3.3)
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

ZVP2120GTC
STB200NF04L
APT40M42JN
2SK3826
2SK3826
$0 $/Stück
FDMC6688P
FDMC6688P
$0 $/Stück
NTB125N02RG
NTB125N02RG
$0 $/Stück

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