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STL13N60M2

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MOSFET N-CH 600V 7A POWERFLAT HV

STL13N60M2 Technisches Datenblatt

compliant

STL13N60M2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $1.33330 -
6,000 $1.28952 -
289 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 7A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 420mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 17 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 580 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 55W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerFlat™ (5x6) HV
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

RM7N600IP
RM7N600IP
$0 $/Stück
CSD19535KTT
CSD19535KTT
$0 $/Stück
NTD20N06-001
NTD20N06-001
$0 $/Stück
SI7370DP-T1-E3
BUK9Y6R5-40HX
IRFB3307ZPBF
AUIRF5210STRL
FDMC0310AS-F127
FDMC0310AS-F127
$0 $/Stück

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