Welcome to ichome.com!

logo
Heim

STL22N60M6

STL22N60M6

STL22N60M6

MOSFET N-CH 600V 10A PWRFLAT HV

STL22N60M6 Technisches Datenblatt

compliant

STL22N60M6 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.99045 $1.99045
500 $1.9705455 $985.27275
1000 $1.950641 $1950.641
1500 $1.9307365 $2896.10475
2000 $1.910832 $3821.664
2500 $1.8909275 $4727.31875
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 10A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 250mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.75V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 20 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 800 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 57W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerFlat™ (5x6) HV
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.