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STL36N55M5

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MOSFET N-CH 550V 22.5A 4PWRFLAT

STL36N55M5 Technisches Datenblatt

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STL36N55M5 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $4.99070 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 550 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 22.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 90mOhm @ 16.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 62 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2670 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.8W (Ta), 150W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerFlat™ (8x8) HV
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

PMXB65ENE147
IRFR110ATM
PXP6R7-30QLJ
FDMS7698
FDMS7698
$0 $/Stück
APT24M120L
APT8043BLLG
IXTA08N120P-TRL
IXTA08N120P-TRL
$0 $/Stück

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