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STL6NM60N

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MOSFET N-CH 600V 5.75A POWERFLAT

STL6NM60N Technisches Datenblatt

compliant

STL6NM60N Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $1.42434 -
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5.75A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 920mOhm @ 2.3A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 13 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 420 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 70W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerFLAT™ (5x5)
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

BS170RLRPG
BS170RLRPG
$0 $/Stück
SFT1342-TL-W
SFT1342-TL-W
$0 $/Stück
APT18M80S
64-4059PBF
IRF7805ATRPBF
IRFR9024NPBF
IRLR7807ZTR

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