Welcome to ichome.com!

logo
Heim

STL9N60M2

STL9N60M2

STL9N60M2

MOSFET N-CH 600V 4.8A PWRFLAT56

STL9N60M2 Technisches Datenblatt

compliant

STL9N60M2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $1.21270 -
6,000 $1.17288 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4.8A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 860mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 10 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 320 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 48W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerFlat™ (5x6) HV
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

STW9NK95Z
STW9NK95Z
$0 $/Stück
CSD18541F5
CSD18541F5
$0 $/Stück
EPC2007C
EPC2007C
$0 $/Stück
IRFB3006PBF
IRFP3415PBF

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.