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STN1NK60Z

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MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223

STN1NK60Z Technisches Datenblatt

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STN1NK60Z Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
4,000 $0.30881 -
8,000 $0.28978 -
12,000 $0.28026 -
28,000 $0.27507 -
8000 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 300mA (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 15Ohm @ 400mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 50µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 6.9 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 94 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.3W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-223
Paket / Koffer TO-261-4, TO-261AA
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