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STO67N60DM6

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MOSFET N-CH 600V 33A TOLL

STO67N60DM6 Technisches Datenblatt

nicht konform

STO67N60DM6 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $8.34000 $8.34
500 $8.2566 $4128.3
1000 $8.1732 $8173.2
1500 $8.0898 $12134.7
2000 $8.0064 $16012.8
2500 $7.923 $19807.5
1227 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 33A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 59mOhm @ 23.75A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.75V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 72.5 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3400 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 150W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TOLL (HV)
Paket / Koffer 8-PowerSFN
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Zugehörige Teilenummer

DMP2170U-7
RQ6E035TNTR
IRF710
PMV230ENEAR
PMV230ENEAR
$0 $/Stück
IXFN120N20
IXFN120N20
$0 $/Stück
SISS30LDN-T1-GE3
IXFB70N100X
IXFB70N100X
$0 $/Stück
SI4451DY-T1-E3
PMV37EN,215
PMV37EN,215
$0 $/Stück

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