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STO68N65DM6

STO68N65DM6

STO68N65DM6

N-CHANNEL 650 V, 53 MOHM TYP., 5

STO68N65DM6 Technisches Datenblatt

compliant

STO68N65DM6 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $10.14000 $10.14
500 $10.0386 $5019.3
1000 $9.9372 $9937.2
1500 $9.8358 $14753.7
2000 $9.7344 $19468.8
2500 $9.633 $24082.5
300 items
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 55A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 65mOhm @ 27.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.75V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 80 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3528 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 240W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TOLL (HV)
Paket / Koffer 8-PowerSFN
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Zugehörige Teilenummer

FBG04N08AC
FBG04N08AC
$0 $/Stück
FDMA8878-F130
FDMA8878-F130
$0 $/Stück
NVMTS0D6N04CLTXG
NVMTS0D6N04CLTXG
$0 $/Stück
DMN7022LFG-13
EPC2305ENGRT
EPC2305ENGRT
$0 $/Stück
MTV16N50E
MTV16N50E
$0 $/Stück
NTMYS4D5N04CTWG
NTMYS4D5N04CTWG
$0 $/Stück

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