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STP10N62K3

STP10N62K3

STP10N62K3

MOSFET N-CH 620V 8.4A TO220AB

STP10N62K3 Technisches Datenblatt

compliant

STP10N62K3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.44000 $2.44
50 $1.96620 $98.31
100 $1.76960 $176.96
500 $1.37638 $688.19
813 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 620 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 8.4A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 750mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 100µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 42 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1250 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 125W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

STP11N65M2
STP11N65M2
$0 $/Stück
DMN3020UFDF-13
STFI13N60M2
PMN49EN,135
PMN49EN,135
$0 $/Stück
FDMS86150
FDMS86150
$0 $/Stück
FDS3572_NL
PSMN7R5-25YLC,115
IRLR024TRPBF
IRLR024TRPBF
$0 $/Stück
SI5442DU-T1-GE3

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