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STP11NM60ND

STP11NM60ND

STP11NM60ND

MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB

STP11NM60ND Technisches Datenblatt

compliant

STP11NM60ND Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.88000 $3.88
50 $3.11860 $155.93
100 $2.84130 $284.13
500 $2.30076 $1150.38
1,000 $1.94040 -
2,500 $1.84338 -
5,000 $1.77408 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 10A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 450mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 30 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 850 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 90W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

VN10KN3-G
PMCM4401VPEZ
STD16N65M2
STD16N65M2
$0 $/Stück
NTMJS1D5N04CLTWG
NTMJS1D5N04CLTWG
$0 $/Stück
STP75NF75
STP75NF75
$0 $/Stück
IRF8707TRPBF

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